包峰

包峰    

苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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[发明专利] 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101736400B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C30B25/20

本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝,在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,

[发明专利] 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101748382B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C23C16/34

本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程

[发明专利] 一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法 - CN101789440A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100305 主分类号:H01L27/28

本发明揭示了一种有机单晶晶体管阵列,该晶体管阵列为底栅极底接触结构,自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体,其特征在于:所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长
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合作学者

徐科   合作次数:3

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张锦平   合作次数:3

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王建峰   合作次数:2

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曾雄辉   合作次数:3

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黄凯   合作次数:3

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