包峰
包峰
苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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[发明专利] 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101736400B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C30B25/20
本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，[发明专利] 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101748382B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C23C16/34
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga3+的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程[发明专利] 一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法 - CN101789440A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100305 主分类号:H01L27/28
本发明揭示了一种有机单晶晶体管阵列，该晶体管阵列为底栅极底接触结构，自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体，其特征在于：所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长这是标签3的内容。
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