肖红领

肖红领    副研究员

中国科学院半导体研究所

副研究员【学科领域】材料物理与化学


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[发明专利] 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 - CN100355027C

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20040611 主分类号:H01L21/20

一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法,其特征在于,包括如下步骤:先将衬底升温进行高温除气,在升温过程中一直开着In炉以防止在衬底表面形成SiNx;再将衬底降温,关闭铟炉,

[发明专利] 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 - CN100437910C

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20060727 主分类号:H01L21/20

一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)选择一衬底;2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层,使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层;3)升高衬底的温度;4

[发明专利] 生长氮化铟单晶薄膜的方法 - CN100558947C

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20070124 主分类号:C30B29/38

本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法,其特征 在于,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2: 采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层 成核层,该成核层可增加衬底表面的成核密度;步骤 3

[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 - CN101812673A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/455

一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头,包括:封闭型外壳体,该外壳体包括上层板、中层板和下层板,在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室,在中层板和下层板之间形成冷却腔室,进气腔室被

[实用新型] 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管 - CN205428936U

申请人:北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 申请年:20151208 主分类号:H01L29/66

本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管,该氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括:集电极金属层、P+氮化镓衬底、N-型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO2<

[实用新型] 一种垂直型氮化镓功率开关器件 - CN205231071U

申请人:北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 申请年:20151208 主分类号:H01L29/778

本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件,该开关器件包括:衬底a;N型重掺杂氮化镓层b;电流窗口层c;非故意掺杂高迁移率氮化镓层d;氮化铝插入层e;非有意掺杂铝镓氮势垒层f;欧姆接触源极Sou

[发明专利] 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法 - CN106601790A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20161229 主分类号:H01L29/06

本发明公开了纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法,晶体管结构包括一衬底,在衬底上依次生长形成成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高

[发明专利] GaN衬底的表面处理方法 - CN107564799A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20170823 主分类号:H01L21/02

本发明公开了一种GaN衬底的表面处理方法。在GaN同质衬底或GaN基板材料上进行高温热分解和再生长循环周期处理,每个循环周期包括表面高温热分解阶段和再生长阶段。本发明提供的表面处理方法能够有效

[发明专利] 一种氮面极性InGaN太阳能电池结构 - CN108198893A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20180130 主分类号:H01L31/075

本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构,其包括:n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极;i区光吸收层位于n型GaN层的上面,p型G

[发明专利] 具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法 - CN109638074A

申请人:中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 申请年:20181128 主分类号:H01L29/778

本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法,其中,该电子迁移率晶体管包括:衬底;成核层,位于衬底之上;高阻缓冲层,位于成核层之上;背势垒缓冲层,位于高阻缓冲层之上
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合作学者

姜丽娟   合作次数:37

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殷海波   合作次数:23

中国科学院半导体研究所

王翠梅   合作次数:29

中国科学院半导体研究所

王晓亮   合作次数:62

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冯春   合作次数:33

中国科学院半导体研究所

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