张露

张露    

中国科学院半导体研究所

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[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 - CN101812673A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/455

一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头,包括:封闭型外壳体,该外壳体包括上层板、中层板和下层板,在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室,在中层板和下层板之间形成冷却腔室,进气腔室被

[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 - CN101812674B

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/455

本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置,包括:通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路,该氮气分配管路具有多个氮气分配支路;通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路,该氢气分配管

[发明专利] 金属有机物化学沉积设备的反应室 - CN101748377B

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/18

本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和

[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 - CN101736311A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/18

本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的加热装置,包括:至少两段炉丝,该至少两段炉丝布置在同一加热平面内,且每一段炉丝连接到各自的电极;邻近所述加热平面布置在至少两段炉丝下方的测温计,用于

[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 - CN101811871B

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/44

本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺,包括以下步骤:在纯度≥98%、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂,采用干式混合法形成混合物;采用干压成型

[发明专利] 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 - CN101812671B

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:20100107 主分类号:C23C16/18

本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置,其包括:气体入口;从所述气体入口引出的并行布置的多组气路,每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路,第一子气路和第二子气
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殷海波   合作次数:6

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肖红领   合作次数:6

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王晓亮   合作次数:6

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胡国新   合作次数:6

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