海潮和

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中国科学院微电子研究所

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[发明专利] 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 - CN1691295A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20040423 主分类号:H01L21/336

一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准 硅化物方法,包括如下步骤:在硅片上,多晶栅刻蚀成形后进 行无掩膜的漂移区注入;用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二 氧化硅;以光刻胶保护漂移区,回刻二氧化

[发明专利] 绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法 - CN1705132A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20040527 主分类号:H01L27/12

一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构,其 中包括:一绝缘体硅衬底,包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄 层;场氧化层采用局域场氧化隔离技术形成在硅薄层里与隔离 氧化层相连,以阻断器件漏电;栅氧化层

[发明专利] 栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法 - CN101090122A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20060616 主分类号:H01L27/12

本发明涉及半导体器件技术领域,特别是栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法。包括:SOI衬底(3);形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管,其中所述晶体管包括栅电极(55),栅氧化层

[发明专利] 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 - CN101118924A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20060731 主分类号:H01L29/78

本发明公开了一种高击穿电压SOI器件结构,包括SOI衬底(3),埋氧层(2),形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管,所述晶体管包括栅电极(30),栅氧化层(31),漏电极(10),源电极(50

[发明专利] 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法 - CN100481354C

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20060830 主分类号:H01L21/336

本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法,包括: A、在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层,进行N场注入和P场注 入,对得到的器件进行电学隔离;B、在电学隔离后的器件表面热生

[发明专利] 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法 - CN101162696A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20061013 主分类号:H01L21/336

本发明公开了一种源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法,该方法包括:A.在源体欧姆接触SOI晶体管版图中,增加一层源漏大剂量杂质反注入光刻版;B.以源漏大剂量杂质注入光刻版的反版为掩膜进行源漏大剂

[发明专利] 双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法 - CN101221957A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20070110 主分类号:H01L27/12

本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域,公开了一种双栅全耗尽SOI CMOS器件,该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明

[发明专利] 一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法 - CN102353885A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20110705 主分类号:G01R31/26

本发明提供一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法,该方法包括以下步骤:对绝缘体上硅场效应晶体管施加偏置电压,分别获取所述绝缘体上硅场效应晶体管的体源电流与功耗、以及所述绝缘体上硅场效应晶体管的

[发明专利] 场效应晶体管及其制备方法 - CN103022084A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20110923 主分类号:H01L29/06

本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括:衬底;源极和漏极,其中之一形成于衬底上表面的凸起之上,另一个形成于凸起的侧下部的衬底中且其上表面与衬底的上表面齐平;栅极,形成于凸

[实用新型] 一种ESD防护电阻 - CN202373579U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20111229 主分类号:H01L23/60

本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔
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毕津顺   合作次数:14

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罗家俊   合作次数:9

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李多力   合作次数:6

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李晶   合作次数:6

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