[发明专利] 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统 - CN101092738A
申请人:苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20070608 主分类号:C30B25/16
本发明公开了一种用于外延生长的原位应力光学监控方法，将激光束经分束后形成至少2束平行的激光束，入射到外延生长片的表面，反射的激光束经光学元件出射，在图像收集设备上成像，经过图像处理后获得表面应[发明专利] 透射电子显微镜物镜光阑 - CN103198994A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20130317 主分类号:H01J37/09
本发明提供了透射电子显微镜物镜光阑，包括光阑板、与光阑板连接的螺纹杆，以及和螺纹杆连接的手柄，所述物镜光阑沿着光阑板的轴线具有一系列C形开孔。本发明的优点在于：光阑C形开孔中心的挡板可以阻挡透[发明专利] 一种肖特基二极管及其测试方法 - CN104681636A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20131127 主分类号:H01L29/872
本发明公开了一种肖特基二极管，包括：GaN层；位于GaN层上的绝缘层，绝缘层具有一开口部，形成肖特基接触区域；第一电极，形成于肖特基接触区域内，与GaN层接触，并且，第一电极至少部分覆盖于所述[发明专利] 石墨烯谐振器及其制作方法 - CN104716924A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20131211 主分类号:H03H9/15
本发明提供一种石墨烯谐振器及其制作方法，所述石墨烯谐振器包括衬底、声表面波发生器及石墨烯，所述声表面波发生器设置在衬底表面，用于产生声表面波，所述衬底在所述声表面波传播方向上设置有一凹槽，所述[发明专利] 光谱测试装置及其测试方法 - CN106197665B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20150429 主分类号:G01J3/28
本发明公开了一种光谱测试装置，包括：用于对待测光谱进行分光的单色仪，其至少包括用于出射经分光的待测光谱的出光狭缝；与出光狭缝相对设置的光谱放大器，其对经由出光狭缝出射的经分光的待测光谱进行放大[发明专利] 助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法 - CN107687022A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 申请年:20160804 主分类号:C30B19/02
本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其包括：在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技[发明专利] AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法 - CN108206132A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20161216 主分类号:H01L21/28
本发明公开了一种在AlN上形成的欧姆接触电极结构及其制作方法。在一些实施方案中，一种在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法包括：在的AlN基材上形成金属电极结构，获得AlN/金属接触结构；以及，[发明专利] 基于扫描探针的光路减震装置及方法 - CN107064563B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170329 主分类号:G01Q30/00
本发明提供一种基于扫描探针的光路减震装置及方法，用于减少光路振动，所述装置包括控制器、第一扫描振镜及一第二扫描振镜、第一采样镜及第二采样镜、第一四象限光探测器及第二四象限光探测器。本发明的优点[发明专利] 衬底、半导体器件及衬底制作方法 - CN108878595B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170508 主分类号:H01L33/00
本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：[发明专利] 掺杂Mg的p型Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用 - CN108866628A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170511 主分类号:C30B29/40
本发明公开了一种掺杂Mg的p型III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂Mg的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～60这是标签3的内容。
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