[发明专利] 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 - CN102181924A
申请人:苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20110330 主分类号:C30B25/18
一种石墨烯的生长方法，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 申请年:20111214 主分类号:H01L33/40
一种发光二极管，包括具有第一导电类型的半导体衬底、半导体衬底表面的有源层、以及有源层表面的具有第二导电类型的半导体覆盖层，所述半导体覆盖层与有源层相对的一表面上设置有电极；所述半导体覆盖层表面[发明专利] 掺杂稀土元素的氮化镓粉体材料的制备方法及装置 - CN102660282A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 申请年:20120323 主分类号:C09K11/80
本发明提供一种掺杂稀土元素的氮化镓粉体材料的制备方法，包括步骤：将含有镓元素的原料装入装置的底部至覆盖位于装置底部的磁子；从气流入口处通入氮气或惰性气体吹扫反应室并保持气流；利用炉体升高反应室[发明专利] 一种制备氮化硼单晶的装置及方法 - CN103541000B
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20131106 主分类号:C30B25/08
本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应[发明专利] 助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法 - CN107687022A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 申请年:20160804 主分类号:C30B19/02
本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其包括：在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技[发明专利] 掺杂Mg的p型Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用 - CN108866628A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170511 主分类号:C30B29/40
本发明公开了一种掺杂Mg的p型III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂Mg的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～60[发明专利] 掺杂稀土元素的Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用 - CN108866629A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170511 主分类号:C30B29/40
本发明公开了一种掺杂稀土元素的III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂稀土元素的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～[发明专利] 用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 - CN110129887A
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20180209 主分类号:C30B29/40
本发明公开了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法。所述的承载结构包括籽晶承载体和支撑机构，所述籽晶承载体可升降地设置于助熔剂法生长氮化物单晶的反应容器内，所述籽晶承载体与支撑机[实用新型] 用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统 - CN208023115U
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20180209 主分类号:C30B29/40
本实用新型公开了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统。所述的承载结构包括籽晶承载体和支撑机构，所述籽晶承载体可升降地设置于助熔剂法生长氮化物单晶的反应容器内，所述籽晶承载体与支撑机构[实用新型] 助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统 - CN209508450U
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20190114 主分类号:C30B19/04
本实用新型公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统。所述补充机构包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，这是标签3的内容。
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