韩郑生

韩郑生    研究员/教授

中国科学院微电子研究所

研究员;硕、博士导师【学科领域】


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其它


[发明专利] 双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法 - CN101221957A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20070110 主分类号:H01L27/12

本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域,公开了一种双栅全耗尽SOI CMOS器件,该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明

[发明专利] 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法 - CN101839990A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20090318 主分类号:G01T1/02

本发明公开了一种基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统,包括:主控计算机,用于运行图形监控测试程序,向数据采集卡输出主控信号,接收数据采集卡返回的的剂量率测试结果并显示;数据采集卡,用于根据

[实用新型] 一种ESD防护电阻 - CN202373579U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20111229 主分类号:H01L23/60

本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔

[发明专利] 抗干扰存储元件 - CN104157304A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20140801 主分类号:G11C11/413

本发明提供了抗干扰存储元件。抗干扰存储元件包括:静态随机存储器单元,包括第一和第二反相器,所述第一和第二反相器的输出分别为第一存储节点和第二存储节点,所述第一和第二存储节点存储的值合起来表示所

[发明专利] (15,7)BCH码的编码电路设计方法 - CN104320145A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20141029 主分类号:H03M13/15

本发明提供一种(15,7)BCH码的编码电路设计方法,该编码电路设计方法包括:根据该(15,7)BCH码的生成多项式,构造串行编码电路;分别为串行编码电路中的每个寄存器,获得输入第i+1位信息

[发明专利] 一种动态比较器 - CN106533447B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20161011 主分类号:H03M1/34

本发明属于抗辐射电路技术领域,公开了一种动态比较器,包括:预存放大器电路,用于执行比较操作并锁存输出比较结果;锁存转换电路,与所述预存放大器电路相连,接收所述比较结果,消除单粒子翻转以及单粒子

[发明专利] 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备 - CN106569041B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20161031 主分类号:G01R29/02

本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域,尤其涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包括:第一锁存电路的置位端和各个第二锁存电路的第一置位端均与待测信号输入端连接;第一级第二锁存电路的第二置位端与第一锁存

[发明专利] 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备 - CN106569042B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20161031 主分类号:G01R29/02

本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域,尤其涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,包括锁存电路的输入端与待测信号输入端连接;至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端与待测信号输入端连接,

[发明专利] 一种应用在静态随机存储器中的读信号控制电路 - CN106875972B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20170113 主分类号:G11C11/419

本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种应用在静态随机存储器中的读信号控制电路,包括第一与门电路、第二与门电路和RS锁存器;第一与门电路的输出端与RS锁存器的置位输入端相连;RS锁存器的输出端与

[发明专利] 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法 - CN109948186A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190219 主分类号:G06F17/50

本发明公开了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法,属于微电子仿真领域。针对现有技术中存在的传统关键路径已不能精确地完成汉明码SRAM的特征化建模的问题,本发明提供了一种汉明码SR
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合作学者

毕津顺   合作次数:54

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罗家俊   合作次数:113

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刘梦新   合作次数:36

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卜建辉   合作次数:51

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赵发展   合作次数:38

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