曾传滨

曾传滨    研究员

中国科学院微电子研究所

研究员;青年创新促进会成员【学科领域】


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其它


[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 - CN102332403A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20110920 主分类号:H01L21/336

本发明提供一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成外延层;在所述外延层上形成半导体器件,所述半导体器件包括:源区、漏区、栅极堆叠;在所述半导

[实用新型] 一种ESD防护电阻 - CN202373579U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20111229 主分类号:H01L23/60

本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔

[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 - CN102646601A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20120419 主分类号:H01L21/336

本发明提供一种制造半导体结构的方法,包括以下步骤:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成外延层;在所述外延层上形成半导体器件;形成漏电流吸收区,所述漏电流吸收区位于所述半导体器件的漏区一侧,

[发明专利] 一种动态比较器 - CN106533447B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20161011 主分类号:H03M1/34

本发明属于抗辐射电路技术领域,公开了一种动态比较器,包括:预存放大器电路,用于执行比较操作并锁存输出比较结果;锁存转换电路,与所述预存放大器电路相连,接收所述比较结果,消除单粒子翻转以及单粒子

[发明专利] 一种SR锁存器 - CN108667446A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20180402 主分类号:H03K19/003

本发明提供了一种SR锁存器,所述锁存器包括:至少四个门结构,至少所述四个门结构的输出端构成至少四个数据存储节点;其中,所述门结构包括:与非门结构或或非门结构;如此,利用增加数据存储节点的方式加

[发明专利] 一种SOI功率开关的ESD保护器件 - CN109742071A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190107 主分类号:H01L27/02

本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种SOI功率开关的ESD保护器件,包括:P型衬底;P型衬底上的N型深阱;在N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型

[发明专利] 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路 - CN109884414A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190125 主分类号:G01R29/24

本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路,包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块,M为不小于2的正整数;所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管,所述场效

[发明专利] 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 - CN109935581A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190225 主分类号:H01L27/02

本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构:在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区;在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区,

[发明专利] 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 - CN109962098A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190225 主分类号:H01L29/06

本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构:在深N型掺杂区内设置有第一N型掺杂区、第二P型掺杂区和第二N型掺杂区;在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区;在第二P

[发明专利] 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 - CN109962099A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190225 主分类号:H01L29/06

本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构:深N型掺杂区内设置第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区、第二P型掺杂区和第三N型掺杂区;在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区
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罗家俊   合作次数:28

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韩郑生   合作次数:19

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刘海南   合作次数:10

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卜建辉   合作次数:11

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蔡小五   合作次数:10

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