李多力

李多力    副研究员

中国科学院微电子研究所

副研究员;硕士导师【学科领域】


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其它


[实用新型] 一种ESD防护电阻 - CN202373579U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20111229 主分类号:H01L23/60

本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔

[发明专利] 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置 - CN105844012B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20160322 主分类号:G06F17/50

本发明公开了一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置,该方法包括:在分立器件的版图上对器件的端口进行打标;修改版图比对原理图文件,以在提取分立器件的版图的网表时,能提取到打标后的端口的信息;

[发明专利] 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法 - CN108807522A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20180607 主分类号:H01L29/739

本发明公开了一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法,该晶体管包括:半导体衬底;沟道区,形成于所述半导体衬底上;P型源区,形成于所述半导体衬底上,位于所述沟道区的第一侧,所述P型源区具有P+型掺杂

[发明专利] SOI器件及其制作方法 - CN109742145A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20181203 主分类号:H01L29/78

本发明涉及抗辐照技术领域,尤其涉及SOI器件及其制作方法,包括:氧化埋层位于衬底中,加热电阻、源极、栅极、漏极和隔离层位于氧化埋层的上方,隔离层环绕源极和漏极的外侧设置,隔离层和氧化埋层之间具

[发明专利] 一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法 - CN109860097A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20181228 主分类号:H01L21/762

本发明公开一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法,方法包括:在第一半导体衬底上制备第一介质埋层,在第二半导体衬底上制备第二介质埋层;在第一介质埋层上制备高k介质层;叠加连接所述高k介质层

[发明专利] 一种SOI器件结构及其制备方法 - CN109841561A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190107 主分类号:H01L21/762

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种SOI器件结构及其制备方法,该SOI器件结构包括第一绝缘层;位于第一绝缘层上方的器件层,器件层用于制备多个MOS器件;在第一绝缘层下方正对每个MOS器件有

[发明专利] 一种SOI器件结构及其制备方法 - CN109801847B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190107 主分类号:H01L21/48

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种SOI器件结构及其制备方法,该SOI器件结构包括:第一绝缘层;位于第一绝缘层上方的器件层,器件层用于制备多个目标MOS器件;在第一绝缘层下方正对每个目标M

[发明专利] 一种SOI器件结构及其制备方法 - CN109860098A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190107 主分类号:H01L21/762

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种SOI器件结构及其制备方法,该SOI器件结构,包括:第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上方的器件层,所述器件层用于制备多个MOS器件;在所述第一绝缘层下方正对

[发明专利] 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路 - CN109884414A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190125 主分类号:G01R29/24

本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路,包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块,M为不小于2的正整数;所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管,所述场效

[发明专利] 单个高能粒子离化电荷测试电路 - CN109917269A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20190125 主分类号:G01R31/28

本发明公开了一种单个高能粒子离化电荷测试电路,包括M个高能粒子捕获模块和M个信号探测模块,所述M个高能粒子捕获模块和所述M个信号探测模块一一对应,M为不小于2的正整数;所述高能粒子捕获模块包括
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海潮和   合作次数:6

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罗家俊   合作次数:13

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韩郑生   合作次数:18

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曾传滨   合作次数:9

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卜建辉   合作次数:7

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