赵超荣

赵超荣    

中国科学院微电子研究所

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[发明专利] 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 - CN101458337B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20071212 主分类号:G01T1/02

本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计,包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅

[发明专利] 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 - CN101515586B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20080221 主分类号:H01L27/12

本发明涉及射频功率器件领域,公开了一种具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件,包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N-

[发明专利] 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 - CN101515588B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20080221 主分类号:H01L27/12

本发明涉及射频功率器件领域,公开了一种具有H型栅的射频SOILDMOS器件,包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙

[发明专利] 用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构 - CN101424654A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20081202 主分类号:G01N27/20

本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版 图结构,所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的 铜引线构成的铜电阻阵列,铜引线的根数大于3,所述铜电阻阵列中铜引

[发明专利] 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 - CN101425505B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20081202 主分类号:H01L23/544

本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构,所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列,所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成,每个独立十字单元由等臂十字结

[发明专利] 一种可调整量程的堆叠测量电路 - CN101937091B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20071212 主分类号:G01T1/02

本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种可调整量程的堆叠测量电路,包括:一只或多只基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计、工作模式选择开关SW以及恒流源Isd;基于绝缘体上硅的双探头PMO

[发明专利] 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法 - CN101907719B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20071212 主分类号:G01T1/02

本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法,该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极
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合作学者

杜寰   合作次数:2

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范雪梅   合作次数:4

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韩郑生   合作次数:5

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刘梦新   合作次数:5

中国科学院微电子研究所

刘刚   合作次数:5

中国科学院微电子研究所

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