刘欢

刘欢    

中国科学院电工研究所

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[发明专利] 一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法 - CN110265296A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20190625 主分类号:H01L21/306

本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法,属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂,而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体M
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合作学者

赵雷   合作次数:1

中国科学院电工研究所

王文静   合作次数:1

中国科学院电工研究所

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