王建峰

王建峰    副研究员

苏州纳米技术与纳米仿生研究所

副研究员/测试平台【学科领域】材料物理


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[发明专利] 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统 - CN101092738A

申请人:苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20070608 主分类号:C30B25/16

本发明公开了一种用于外延生长的原位应力光学监控方法,将激光束经分束后形成至少2束平行的激光束,入射到外延生长片的表面,反射的激光束经光学元件出射,在图像收集设备上成像,经过图像处理后获得表面应

[发明专利] 一种肖特基二极管及其测试方法 - CN104681636A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20131127 主分类号:H01L29/872

本发明公开了一种肖特基二极管,包括:GaN层;位于GaN层上的绝缘层,绝缘层具有一开口部,形成肖特基接触区域;第一电极,形成于肖特基接触区域内,与GaN层接触,并且,第一电极至少部分覆盖于所述

[发明专利] 电场增强结构 - CN106033059B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20150311 主分类号:G01N21/64

本发明提供一种电场增强结构,包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层,还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层,所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成,所述介电颗粒的折射

[发明专利] 一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法 - CN106707044B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20151116 主分类号:G01R29/22

本发明公开了一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法,包括:在压电试块的上下表面分别制备上金属膜和下金属膜,得到膜层压电试块;测试膜层压电试块的第一拉曼光谱;以上金属膜和下金属膜为电极,向膜层

[发明专利] 一种半极性AlN模板 - CN107180884B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20160311 主分类号:H01L31/0392

本发明公开了一种半极性AlN模板,其具有半极性显露面,并且包含有孪晶结构或孪晶结构。本发明的半极性AlN模板可直接选用c面蓝宝石或SiC等作为衬底形成,而不需要r面蓝宝石,不仅可以减少AlN外

[发明专利] 一种偏振拉曼光谱的测定仪器及其测定方法 - CN107179308A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20160311 主分类号:G01N21/65

本发明公开了一种偏振拉曼光谱的测定方法,用于测定六方晶体的偏振拉曼光谱,该方法包括:沿预定方向旋转六方晶体依次至第一采样点、……、第n+1采样点,其由初始位置旋转至第一采样点、……、第n+1采

[发明专利] 助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法 - CN107687022A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 申请年:20160804 主分类号:C30B19/02

本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法,其包括:在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中,于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂,所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技

[发明专利] AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法 - CN108206132A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20161216 主分类号:H01L21/28

本发明公开了一种在AlN上形成的欧姆接触电极结构及其制作方法。在一些实施方案中,一种在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法包括:在的AlN基材上形成金属电极结构,获得AlN/金属接触结构;以及,

[发明专利] 衬底、半导体器件及衬底制作方法 - CN108878595B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170508 主分类号:H01L33/00

本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法,该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括:

[发明专利] 掺杂Mg的p型Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用 - CN108866628A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20170511 主分类号:C30B29/40

本发明公开了一种掺杂Mg的p型III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括:掺杂Mg的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中,以及400~750℃、150MPa~60
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