李晶

李晶    

中国科学院微电子研究所

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[发明专利] 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 - CN101275983A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20070328 主分类号:G01R31/26

一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法,是在SOI-CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中,测试NMOS的阈值电压时,背衬底连接地电位;测试PMOS的阈值电压时,背衬底连

[发明专利] 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 - CN101276788B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20070328 主分类号:H01L21/84

本发明涉及半导体技术领域,公开了一种改善SOI电路ESD防护性能的方法,该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入,改变SOI电路的ESD击穿电压,并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各

[发明专利] 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 - CN101562140B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20080416 主分类号:H01L21/50

本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法,该方法包括:在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路;在电源线环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻;将集成电路芯片的一个或多个与芯片

[发明专利] 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 - CN101562187B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20080416 主分类号:H01L27/12

本发明涉及半导体技术领域,公开了一种SOI电路ESD全局保护结构,包括:一种初级ESD保护结构和一种次级ESD保护结构保护输入端;一种智能电阻ESD保护结构和一种RC电路控制的输出泻流管结构加

[发明专利] 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 - CN101562188B

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20080416 主分类号:H01L27/12

本发明涉及半导体技术领域,公开了一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构。该结构通过利用硅化物的导体特性,克服了半导体载流子导电电阻结构在高温时由于本征电离效应出现的电阻负温度特性问题,使

[实用新型] 一种ESD防护电阻 - CN202373579U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20111229 主分类号:H01L23/60

本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔

[发明专利] 一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法 - CN108279369A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20171222 主分类号:G01R31/28

本申请提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法,包括:采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降,进而通入第一脉宽tH的瞬态功率;采用第二小检测电流测试多芯片并

[发明专利] 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置 - CN109752637A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:20181204 主分类号:G01R31/26

本发明公开了一种用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置,属于功率半导体器件领域。该方法包括:将预先设置的测试电路的预设参数配置为预设的初始值;控制调节预设参数后的测试电路,测得芯片组并
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合作学者

海潮和   合作次数:6

中国科学院微电子研究所

罗家俊   合作次数:3

中国科学院微电子研究所

韩郑生   合作次数:6

中国科学院微电子研究所

曾传滨   合作次数:5

中国科学院微电子研究所

李多力   合作次数:6

中国科学院微电子研究所

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