黄凯

黄凯    

苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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[发明专利] 一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法 - CN101476103B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20081201 主分类号:C23C14/06

本发明公开了一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法,其特征在于:以红荧烯为蒸镀原料,以洁净硅片或物理气相传输方法生长成的并四苯单晶体为衬底,采用真空蒸镀的方式制备,并在控制沉积速率和蒸镀

[发明专利] 发光二极管用钇铝石榴石粉体的制备方法 - CN101475185A

申请人:苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20081201 主分类号:C01B33/26

本发明公开了一种掺铈的钇铝石榴石荧光粉体的制备方法,其特征在 于:在制备钇铝石榴石粉体的原料配方中添加Sc(NO3)3·4H2

[发明专利] 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101736400B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C30B25/20

本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝,在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,

[发明专利] 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 - CN101748382B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100108 主分类号:C23C16/34

本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程

[发明专利] 一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法 - CN101789440A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20100305 主分类号:H01L27/28

本发明揭示了一种有机单晶晶体管阵列,该晶体管阵列为底栅极底接触结构,自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体,其特征在于:所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长

[发明专利] 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 - CN102495089A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20111214 主分类号:G01N23/225

本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法,属于半导体测试领域,该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置;并且在该方法

[发明专利] 扫描透射电子显微镜中提高原子序数衬度像质量的方法 - CN103149228B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20130317 主分类号:G01N23/207

本发明提供了一种扫描透射电子显微镜中提高原子序数衬度像质量的方法,包括如下步骤:在扫描透射模式下旋转样品得到样品的会聚束衍射图;将多通道高角环形暗场探测器放入光路中,改变衍射图的大小,使衍射斑

[发明专利] 透射电子显微镜物镜光阑 - CN103198994A

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20130317 主分类号:H01J37/09

本发明提供了透射电子显微镜物镜光阑,包括光阑板、与光阑板连接的螺纹杆,以及和螺纹杆连接的手柄,所述物镜光阑沿着光阑板的轴线具有一系列C形开孔。本发明的优点在于:光阑C形开孔中心的挡板可以阻挡透

[发明专利] 样品位错的扫描透射电镜成像方法 - CN103175856B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20130317 主分类号:G01N23/22

本发明提供了一种样品位错的扫描透射电镜成像方法,包括如下步骤:在普通透射电镜模式下,倾转样品,拍摄样品在第一晶向的衍射谱,并标定;倾转样品,使样品的位错先后在双束衍射状态下分别成像;将电镜切换

[发明专利] 透射电镜用微纳颗粒样品载网贮存装置以及样品制备方法 - CN103196719B

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请年:20130317 主分类号:G01N1/28

本发明提供了一种透射电镜用微纳颗粒样品载网贮存装置,包括夹持柄、样品载网、和底部托盘;所述底部托盘具有一中空部,所述样品载网设置于所述中空部,并与所述中空部的边缘具有一间隙,所述间隙为导流和观
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合作学者

吴东昌   合作次数:4

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徐科   合作次数:10

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张锦平   合作次数:9

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曾雄辉   合作次数:10

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牛牧童   合作次数:4

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