专利名称 ---【 用超临界二氧化碳制备导电聚吡咯复合膜材料的方法 】

基本信息
申请号
CN02104526.7
申请日
20020208
公开(公告)号
CN1436807A
公开(公告)日
20030820
申请(专利权)人
中国科学院化学研究所
申请人地址
100080北京市海淀区中关村北一街2号
发明人
何嘉松;李刚;李育英;廖霞; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种新的聚吡咯导电复合膜的制备方法:利用超临界流体CO2对聚合物基体较强的溶胀性,将溶解在超临界CO2中的吡咯单体带入含有氧化剂的基体膜中引发聚合,生成导电聚吡咯复合膜。控制反应条件可得到仅表面导电或体积导电的聚吡咯复合膜。与已有的文献、专利相比,本发明采用无毒、不可燃的超临界CO2作为反应介质,省去了水或其他一些有毒溶剂如甲醇、乙腈的使用,因而具有环保特性,是一种非常有应用前景的导电复合材料制备技术。
主权项
1、一种用超临界二氧化碳制备导电聚砒咯复合膜材料的方法,其特征在于聚吡咯 导电复合膜的制备是按照以下顺序分步完成的: (1)将氧化剂和基体聚合物按重量比5/95~50/50分别溶解在适当溶剂中,将 二者均匀混合后在玻璃板上铺膜,待溶剂基本挥发后,转移到40℃的烘 箱中真空干燥48小时,得到0.1~1毫米厚的混有氧化剂的聚合物基体膜, (2)将步骤(1)所得混有氧化剂的聚合物基体膜及吡咯单体置于高压反应釜 中,通入99.9%高纯CO2,条件控制为:温度33~100℃、压力8~30MPa, 使CO2达到超临界状态,恒温恒压20分钟~24小时,使导电聚合物单 体随超临界流体CO2渗透到基体聚合物中并与氧化剂反应生成导电聚合 物复合材料, (3)在10~60秒时间内将超临界流体CO2释放并与大气相通,得到聚吡咯导 电复合膜。

 

IPC信息
IPC主分类号
C08J7/16

 

法律状态信息
法律状态公告日
20090415
法律状态
专利权的终止(未缴年费专利权终止) 法律状态信息
CN02104526 20090415 专利权的终止(未缴年费专利权终止) 专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2005.5.18
法律状态公告日
20031105
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN02104526 20031105 实质审查的生效
法律状态公告日
20020612
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN02104526 20020612 实质审查的生效
法律状态公告日
20050518
法律状态
授权 法律状态信息
CN02104526 20050518 授权 授权
法律状态公告日
20030820
法律状态
公开 法律状态信息
CN02104526 20030820 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
NULL
代理人姓名
NULL

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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