专利名称 ---【 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法 】

基本信息
申请号
CN03115644.4
申请日
2003.03.04
公开(公告)号
CN1434500
公开(公告)日
2003.08.06
申请(专利权)人
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址
200083上海市玉田路500号
发明人
张海燕;胡晓宁;叶振华;廖清君;李言谨; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种碲镉汞材料p-n结结深的测 量方法,该方法包括样品的腐蚀,导电类型的测量和台阶高度 的测量。其步骤是:利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀,逐层 剥离,每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量,导电类型的测 量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方 向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p-n结的位置,然 后利用台阶仪测量p-n结的结深。本发明的优点是:无需多 次制备电极,测量方法简单,测试结果准确。
主权项
1.一种碲镉汞材料p-n结结深的测量方法,包括样品保护膜的生长、腐蚀 、导电类型的测量,其特征在于具体步骤如下: A.样品的制备 在样品的部分表面生长一层SiO2保护膜; B.分步腐蚀和分步测量导电类型 将带有SiO2保护膜的样品放入溴和乙醇的混合液中,其体积比为1∶50~200, 腐蚀液的温度维持在冰点,腐蚀速率为0.01μm/s-0.1μm/s,第一次腐蚀时间可 根据所测样品估算的p-n结结深和腐蚀液的浓度来控制,以后逐次缩短,特别是 近结区时,要使腐蚀时间缩短到使p-n结结深测量允许的误差范围0.1μm内; 每腐蚀一次便测一次样品的导电类型,以判断是否已到达结区,测量在液 氮温度下进行,即将样品和万用表的一根探针用液氮冷却,另一根探针保持室 温,当样品和冷探针冷却到液氮温度时,同时把冷探针(1)和热探针(2)分别轻轻 地压在样品的腐蚀过的部位(3),记下万用表(4)读数的正负,样品经过反复若干 次的腐蚀及测试之后,万用表的读数出现由正转负或由负转正,这就说明材料 已被腐蚀到结区;所说的万用表为普通的数字式,具有毫安级量程就可以; C.台阶高度测试 在测台阶高度之前,将样品的保护膜去掉,露出未被腐蚀的原始表面,形 成一个高度为结深的台阶,用台阶仪测量台阶高度。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
H01L21/66

 

法律状态信息
法律状态公告日
2009.05.06
法律状态
专利权的终止(未缴年费专利权终止) 法律状态信息
专利权的终止(未缴年费专利权终止) 授权公告日:2005.6.15
法律状态公告日
2005.06.15
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2003.10.22
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2003.08.06
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
郭英

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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