专利名称 ---【 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具 】

基本信息
申请号
CN03151154.6
申请日
20030924
公开(公告)号
CN1265519C
公开(公告)日
20040908
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
吴惠桢;黄占超;劳燕锋;沈勤我;齐鸣;封松林; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在于高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜(1)、金属膜(2)和氧化物保护膜(3)组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种,相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长,金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成:叠放激光器解理条的基片为铁质圆片,可移动定位片为磁铁,以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条,夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单,成本低廉,使激光器的功率平均提高70%,阈值电流降低25%左右,镀膜夹具易于操作,适合于进行规模化生产。
主权项
1、一种用于半导体激光器后腔面的高反射膜系镀膜用的夹具,其特 征在于所述的夹具是用金属铁片作底片(1),底片的一边有一个铝质 固定片(2),通过螺丝固定在底片(1)上;铝质固定片上有两个铜压片 (5);铝质固定片的旁边有两条硅夹片(3),与铝质固定片相对应的另 一边是可移动的磁性定位片(4),定位片(4)和底片(1)互相吸引,夹紧 半导体激光器解理条;移动定位片旁边的压片固定在底片(1)上,用 来固定硅夹片。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/028

 

法律状态信息
法律状态公告日
20101006
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN03151154 20101006 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01S 5/028申请日:20030924授权公告日:20060719
法律状态公告日
20041110
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN03151154 20041110 实质审查的生效
法律状态公告日
20060719
法律状态
授权 法律状态信息
CN03151154 20060719 授权 授权
法律状态公告日
20040908
法律状态
公开 法律状态信息
CN03151154 20040908 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
潘振甦

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
     分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器