专利名称 ---【 掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN200410053301.7
申请日
2004.07.30
公开(公告)号
CN1588605
公开(公告)日
2005.03.02
申请(专利权)人
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
201800上海市800-211邮政信箱
发明人
赵广军;严成锋;徐军;庞辉勇;介明印;何晓明;夏长泰; 专利类型 发明专利
摘要
一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法,它是在特定晶面方向的二硅酸镥衬底上采用电阻加热液相外延炉生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏,其结构表述为:(CexMzReyLu1-x-y-z)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7,其中:0.001≤x≤0.01,0≤y≤0.3,0.001≤z≤0.01。Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y、Gd或In等的一种或多种,M代表Eu或Tb中的一种,这种荧光屏可以广泛应用于科学研究、医疗、工业无损检测、地质勘探、安全检查以及国防等射线探测领域中。
主权项
1、一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏,其特征在于它是在具有一定晶面方 向的二硅酸镥衬底上生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏,其结构表述为: (CexMzReyLu1-x-y-z)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7其中:0.001≤x≤0.01,0≤y≤0.3,0.001≤z≤0.01,Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、 Yb、Y、Gd或In等的一种或多种,M代表Eu或Tb中的一种。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01J1/62
IPC分类号
H01J1/62;H01J9/20

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.09.23
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/62 申请日:20040730 授权公告日:20070404 终止日期:20140730
法律状态公告日
2007.04.04
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2005.05.04
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2005.03.02
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海新天专利代理有限公司
代理人姓名
张泽纯
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