专利名称 ---【 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 】

基本信息
申请号
CN200410053350.0
申请日
2004.07.30
公开(公告)号
CN1588624
公开(公告)日
2005.03.02
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮 化镓结晶膜表面质量的方法,特征在于在HVPE生长GaN的 过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中 同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的 温区,或放在不同的温区,HCl气体流过Ga舟和In舟,通过 对于产生的InCl和GaCl的量进行调节,满足生长的需要。GaN 结晶膜的生长温度为1000-1100℃,在此温度下不会形成 InGaN合金,其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。 由于In的引入,Ga原子的表面迁移长度增加,而这对于生长 速度很高的HVPE生长方式非常重要,可以使得生长的GaN 的表面的平整度得到改进,且降低GaN结晶膜中的缺陷位错 密度。
主权项
1.一种改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法,其特征在于 氢化物气相外延生长GaN的同时引入In辅助源,并且与HCl气体反应生 成的InCl和GaCl气体同时到达衬底表面,与NH3在1000-1100℃反应, 外延生长GaN结晶膜。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
H01L21/205;C30B25/02;C30B29/38

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.08.17
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20040730 授权公告日:20070214 终止日期:20170730
法律状态公告日
2011.08.24
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:德泓(福建)光电科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:364101 福建永定工业园区 登记生效日:20110715
法律状态公告日
2007.02.14
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2005.05.04
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2005.03.02
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
潘振甦
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