专利名称 ---【 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 】

基本信息
申请号
CN200410053350.0
申请日
2004.07.30
公开(公告)号
CN1588624
公开(公告)日
2005.03.02
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮 化镓结晶膜表面质量的方法,特征在于在HVPE生长GaN的 过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中 同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的 温区,或放在不同的温区,HCl气体流过Ga舟和In舟,通过 对于产生的InCl和GaCl的量进行调节,满足生长的需要。GaN 结晶膜的生长温度为1000-1100℃,在此温度下不会形成 InGaN合金,其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。 由于In的引入,Ga原子的表面迁移长度增加,而这对于生长 速度很高的HVPE生长方式非常重要,可以使得生长的GaN 的表面的平整度得到改进,且降低GaN结晶膜中的缺陷位错 密度。
主权项
1.一种改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法,其特征在于 氢化物气相外延生长GaN的同时引入In辅助源,并且与HCl气体反应生 成的InCl和GaCl气体同时到达衬底表面,与NH3在1000-1100℃反应, 外延生长GaN结晶膜。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
H01L21/205;C30B25/02;C30B29/38

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.08.17
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20040730 授权公告日:20070214 终止日期:20170730
法律状态公告日
2011.08.24
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:德泓(福建)光电科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:364101 福建永定工业园区 登记生效日:20110715
法律状态公告日
2007.02.14
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2005.05.04
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2005.03.02
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
潘振甦

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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