专利名称 ---【 光刻用硫化物半导体掩膜 】

基本信息
申请号
CN200410093319.X
申请日
2004.12.21
公开(公告)号
CN1624873
公开(公告)日
2005.06.08
申请(专利权)人
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
201800上海市800-211邮政信箱
发明人
张锋;徐文东;王阳;干福熹;杨金涛;高秀敏;周飞; 专利类型 发明专利
摘要
一种光刻用硫化物半导体掩膜,其特征在于所述 的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗,锗锑碲,银铟锑碲,碲 化锑或锑。本发明硫化物半导体掩膜材料由于材料的三阶非线 性效应,能大大减小光斑或者刻蚀线宽,刻蚀点或刻蚀线宽是 光斑衍射极限的1/3-1/6,比采用金属铟(In)(60%)的效果更明 显,同时需要的激光功率也大大降低。
主权项
1、一种光刻用硫化物半导体掩膜,其特征在于所述的硫化物半导体 掩膜的材料为碲化锗、锗锑碲、银铟锑碲、碲化锑或锑。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/033
IPC分类号
H01L21/033

 

法律状态信息
法律状态公告日
2012.03.14
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20041221 授权公告日:20070207 终止日期:20101221
法律状态公告日
2007.02.07
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2005.08.10
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2005.06.08
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海新天专利代理有限公司
代理人姓名
张泽纯

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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