专利名称 ---【 一类压电单晶体及其生长方法 】

基本信息
申请号
CN200710036836.7
申请日
20070125
公开(公告)号
CN100529199C
公开(公告)日
20070905
申请(专利权)人
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址
200050上海市长宁区定西路1295号
发明人
安华;徐家跃;钱国兴;陆宝亮;侍敏莉;张爱琼;李新华;林雅芳; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于: 通过同族元素替代形成了的压电晶体,通式为Sr3-xMexNbGa3Si2O14,其中 Me为Ca或Ba,x=0.1-2.9;优先0.1≤x≤1.5,所述的生长方法是按 Sr3-xMexNbGa3Si2O14化学计量比配料,均匀混合,在1150~1170℃预烧8~12 小时,通过固相反应,合成多晶原料;将合成料装入底部事先放入籽晶的坩 埚中,然后将坩埚置于下降法生长炉中,在1450~1480℃温度范围熔化原料 及籽晶顶部,生长界面温梯维持在20~40℃/cm,坩埚下降速度小于3mm/h。 可根据需要生长不同方向、形状和尺寸的压电单晶,具有工艺设备简单,操 作方便,一炉多产等优点,适合于工业规模化晶体的生长或生产。
主权项
1、一类压电晶体,其特征在于所述的压电单晶体是通过同族元素替代, 方法形成的,其通式为Sr3-xMexNbGa3Si2O14,0.1≤x≤2.9,Me为Sr的同族元 素Ca或Ba。

 

IPC信息
IPC主分类号
C30B29/34

 

法律状态信息
法律状态公告日
20070905
法律状态
公开 法律状态信息
CN200710036836 20070905 公开 公开
法律状态公告日
20071031
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200710036836 20071031 实质审查的生效
法律状态公告日
20090819
法律状态
授权 法律状态信息
CN200710036836 20090819 授权 授权
法律状态公告日
20130327
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200710036836 20130327 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 29/34申请日:20070125授权公告日:20090819终止日期:20120125

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人姓名
潘振甦


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