专利名称 ---【 一种三维植入式微电极阵列的制作方法 】

基本信息
申请号
CN200710036837.1
申请日
20070125
公开(公告)号
CN100431487C
公开(公告)日
20070801
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
李刚;程建功;姚源;周洪波;孙晓娜;赵建龙; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法,特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料,并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中,一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂,并在断面处形成尖端;另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分;然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割,通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法,可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。
主权项
1、一种三维植入式微电极阵列的制作方法,该方法包括: ①利用湿法或等离子刻蚀制作具有微细凹槽和微细结构的玻璃或硅模 具基片; ②将金属丝嵌入模具基片的凹槽中,两端用粘结胶固定; ③在固定金属丝的模具基片上旋涂光刻胶,并光刻显影制作微沟槽和 腔体; ④模具基片上贴合一层可去除的盖片,与模具基片上光刻胶制作的沟 槽一起形成封闭的微管道,微管道中加入电解液,利用电化学腐蚀的方法将 所有金属丝从微管道处腐蚀断开; ⑤去除盖片和电解液,并在模具基片上旋涂聚二甲基硅氧烷,加温聚 合; ⑥用丙酮去除光刻胶,并将夹持金属丝的聚二甲基硅氧烷层从模具基 片上剥离; ⑦切除聚二甲基硅氧烷多余部分,并将多层夹持金属丝的聚二甲基硅 氧烷层利用氧等离子轰击,再叠加键合在一起构成三维微电极阵列; ⑧通过溅射、蒸发或浸入的方式在三维微电极阵列外露金属丝表面进 行绝缘处理; ⑨通过化学腐蚀或电火花方式去除微电极金属丝尖端绝缘层,完成三 维微电极阵列制作。

 

IPC信息
IPC主分类号
A61B5/04

 

法律状态信息
法律状态公告日
20190115
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200710036837 20190115 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):A61B 5/04授权公告日:20081112终止日期:20180125
法律状态公告日
20081112
法律状态
授权 法律状态信息
CN200710036837 20081112 授权 授权
法律状态公告日
20070926
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200710036837 20070926 实质审查的生效
法律状态公告日
20070801
法律状态
公开 法律状态信息
CN200710036837 20070801 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
潘振甦

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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