专利名称 ---【 表面修饰有助催化剂的半导体TiO2光催化剂及其制备方法和用途 】

基本信息
申请号
CN200710062723.4
申请日
20070115
公开(公告)号
CN100577287C
公开(公告)日
20080723
申请(专利权)人
中国科学院化学研究所
申请人地址
100080北京市海淀区中关村北一街2号
发明人
赵进才;杨娟;张苗;马万红;陈春城;张新志;钱新华;张士博; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及光催化选择性氧化合成技术领域,特别涉及表面修饰有助催 化剂的半导体TiO2光催化剂及其制备方法,以及应用该催化剂选择性氧化一 级醇或二级醇制备醛或酮。本发明通过设计对TiO2表面进行化学修饰,使得 TiO2光生空穴原位转化为有机氮氧自由基,而这类有机氮氧自由基由于空间 位阻的选择性,能够高选择性地和一级醇或二级醇反应得到相应的醛或酮。 本发明的催化剂对所述的各类醇的转化都能达到>99%的转化率和一般高达 90%以上的选择性,特别是对芳香醇如苯甲醇可达到>99%的选择性;催化剂 和助催化剂都可以通过简单的过滤后反复使用,寿命长,不积炭;制备和反 应条件温和。
主权项
1.一种表面修饰有助催化剂的半导体TiO2光催化剂,其特征是:所述的 表面修饰有助催化剂的半导体TiO2光催化剂是以锐钛矿型的固体TiO2为母 体,在其表面修饰有助催化剂层,所修饰的助催化剂与固体TiO2母体的比例 为:2.5×10-3~0.1摩尔助催化剂/克TiO2; 所述的助催化剂是指取代的氮杂环烷烃氧化物,结构式是: 其中,功能结构为5元或6元氮杂环氧化物和R1、R2、R3、R4独立地是C1~ C3的烷基。

 

IPC信息
IPC主分类号
B01J31/02

 

法律状态信息
法律状态公告日
20080917
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200710062723 20080917 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20080723
法律状态
公开 法律状态信息
CN200710062723 20080723 公开 公开
法律状态公告日
20100106
法律状态
授权 法律状态信息
CN200710062723 20100106 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
李柏

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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