专利名称 ---【 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 】

基本信息
申请号
CN200710064870.5
申请日
2007.03.28
公开(公告)号
CN101276788
公开(公告)日
2008.10.01
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
曾传滨;李多力;李晶;海潮和;韩郑生; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种改善SOI电路ESD防护性 能的方法,该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入,改变SOI电路 的ESD击穿电压,并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条之 间在ESD电压到来时同时开启,同时通过击穿时产生的电流抬升体区电 位,促进寄生在MOS管里的BJT泻放电流。利用本发明,解决了在SOI 电路中使用常规在接触孔下注入方法所带来的注入杂质被漏端杂质包住 或被漏/漏端下方的衬底形成的耗尽区包住的问题。本发明将注入移到体 区,一方面可以很好地降低击穿电压,另一方面电流能很好地导入到体区, 改善器件及整个电路的抗ESD能力。
主权项
1. 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法,其特征在于, 该方法采用在绝缘体上硅SOI电路的体区进行静电放电ESD注入,改变SOI 电路的ESD击穿电压,并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条 之间在ESD电压到来时同时开启,同时通过击穿时产生的电流抬升体区电 位,促进寄生在金属氧化物半导体MOS管里的双极结型晶体管BJT泻放电 流。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/84(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2013.06.19
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 法律状态信息
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/84 合同备案号:2013990000164 让与人:中国科学院微电子研究所 受让人:北京中科新微特科技开发有限公司 发明名称:一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 申请日:20070328 申请公布日:20081001 授权公告日:20120523 许可种类:独占许可 备案日期:20130424
法律状态公告日
2012.05.23
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2008.11.26
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2008.10.01
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司
代理人姓名
周国城

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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