专利名称 ---【 光刻定位自组装填充方法 】

基本信息
申请号
CN200710099497.7
申请日
20070523
公开(公告)号
CN101051185B
公开(公告)日
20071010
申请(专利权)人
中国科学院光电技术研究所
申请人地址
610209 四川省双流350信箱
发明人
李飞;朱少丽;杜春雷;罗先刚; 专利类型 发明专利
摘要
光刻定位自组装填充方法,其特征在于包括下列步骤:(1)设计列阵型微区掩模,根据设计结果采用激光直写机制作出列阵型微区掩模板,每个微区均用坐标值定位;(2)选取镀铬玻璃板作为基底材料,应用曝光、显影、溶液腐蚀等微细加工的方法把定位微区掩模板图形转印到镀铬玻璃基板上制作定位微区模版;(3)在定位微区模版的微区里自组装一层聚苯乙烯纳米球;(4)采用真空镀膜的方法在制作了聚苯乙烯纳米球自组装层的微区模版表面沉积一层金属膜;用聚苯乙烯纳米球自组装层作模具在其球与球的间隙处填充金属;(5)去除聚苯乙烯纳米球自组装层,得到可由阵列化的金属纳米列阵结构。利用本发明制作的阵列化的金属纳米列阵结构可应用于生物传感领域,实现多种生物分子的多通道快速检测。
主权项
光刻定位自组装填充方法,其特征在于包括下列步骤:(1)设计列阵型微区掩模,根据设计结果制作出列阵型微区掩模板,每个微区均用坐标值定位;(2)选取基底材料,在基底材料表面旋涂抗蚀剂;(3)采用制作的阵型微区掩模板对抗蚀剂进行曝光,显影后即可获得抗蚀剂材质的微浮雕结构,根据目标浮雕结构的深度确定需要施加的曝光量,以及显影液浓度、显影时间参数,通过曝光、显影首先在抗蚀剂表面获得定位微区结构;(4)通过进一步溶液腐蚀,将抗蚀剂图形转移到基底材料上,最终制作出定位微区模版;(5)利用定位微区模版的坐标定位功能,采用纳升级移液器在定位微区模版坐标值对应的微区里自组装聚苯乙烯纳米球,形成单层聚苯乙烯纳米球结构;(6)将已组装了单层聚苯乙烯纳米球结构的定位微区模版低温18~21℃干燥后放入真空镀膜系统的工作腔,在高真空4.0×10-4Pa下,在定位微区模版表面沉积一层银膜;(7)去除聚苯乙烯纳米球自组装层,仅留下球与球的间隙处的金属,得到阵列化的金属纳米列阵结构。

 

IPC信息
IPC主分类号
G03F7/00

 

法律状态信息
法律状态公告日
20160720
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200710099497 20160720 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G03F 7/00申请日:20070523授权公告日:20101103终止日期:20150523
法律状态公告日
20101103
法律状态
授权 法律状态信息
CN200710099497 20101103 授权 授权
法律状态公告日
20081126
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200710099497 20081126 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20071010
法律状态
公开 法律状态信息
CN200710099497 20071010 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
贾玉忠;卢纪

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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