专利名称 ---【 一种双介质层有机场效应晶体管及其制作方法 】

基本信息
申请号
CN200710121974.5
申请日
20070919
公开(公告)号
CN101393966A
公开(公告)日
20090325
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
商立伟;刘明;涂德钰;王丛舜;贾锐;龙世兵; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及有机半导体器件技术领域,公开了一种双介质层有机场效 应晶体管,该晶体管由下至上依次包括衬底、第一介质层、第二介质层、 有源层和源漏电极层,对于采用公共背栅电极的该晶体管,衬底同时作为 公共背栅电极,对于采用独立栅电极的该晶体管,在衬底与第一介质层之 间还包括一独立栅电极,所述第一介质层为高介电常数的氧化物介质层, 所述第二介质层为低介电常数的有机物介质层,第一介质层位于栅电极与 第二介质层之间,第二介质层与有源层直接接触。本发明同时公开了一种 双介质层有机场效应晶体管的制作方法。利用本发明,解决了使用单层介 质膜有机场效应管中存在的问题,获得了高性能的器件,推动了有机电路 的实用化。
主权项
1、一种双介质层有机场效应晶体管,该晶体管由下至上依次包括衬 底、第一介质层、第二介质层、有源层和源漏电极层,对于采用公共背栅 电极的该晶体管,衬底同时作为公共背栅电极,对于采用独立栅电极的该 晶体管,在衬底与第一介质层之间还包括一独立栅电极,其特征在于, 所述第一介质层为高介电常数的氧化物介质层,所述第二介质层为低 介电常数的有机物介质层,第一介质层位于栅电极与第二介质层之间,第 二介质层与有源层直接接触。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L51/05

 

法律状态信息
法律状态公告日
20101124
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回 法律状态信息
CN200710121974 20101124 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 51/05公开日:20090325
法律状态公告日
20090520
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200710121974 20090520 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20090325
法律状态
公开 法律状态信息
CN200710121974 20090325 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司
代理人姓名
周国城

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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