专利名称 ---【 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 】

基本信息
申请号
CN200710177814.2
申请日
2007.11.21
公开(公告)号
CN101442105
公开(公告)日
2009.05.27
申请(专利权)人
中国科学院化学研究所
申请人地址
100080北京市海淀区中关村北一街2号
发明人
于贵;狄重安;魏大程;刘云圻;郭云龙;朱道本; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明的电 极结构有机场效应晶体管,包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极, 其中,源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯电极。本发明制备图案化石墨烯电极 的方法,包括如下步骤:1)在衬底上沉积金属薄膜,并将所述金属薄膜图案化;2) 将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中,在图案化金属电极材料表 面上化学气相沉积石墨烯,得到图案化石墨烯电极;其中,化学气相沉积所用的碳源 为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯和甲烷等。
主权项
1、一种制备图案化石墨烯电极的方法,包括如下步骤: 1)在衬底上沉积金属薄膜,并将所述金属薄膜图案化; 2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中,在图案化金属薄 膜表面化学气相沉积石墨烯,得到图案化石墨烯电极。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L51/40(2006.01)I
IPC分类号
H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.01.07
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20071121 授权公告日:20100609 终止日期:20131121
法律状态公告日
2010.06.09
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2009.07.22
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2009.05.27
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人姓名
关 畅

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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