专利名称 ---【 三维立体结构相变存储器芯片的电路及实现方法 】

基本信息
申请号
CN200810033924.6
申请日
20080226
公开(公告)号
CN101236780B
公开(公告)日
20080806
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
宋志棠;丁晟;刘波;宝民;封松林;刘卫丽; 专利类型 发明专利
摘要
本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积,本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势,本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割,其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案,最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
主权项
三维立体结构的相变存储器芯片的电路,包括相变存储阵列、译码器、驱动电路、读出灵敏放大器、外围控制电路,其特征在于外围电路埋置于存储阵列下面,存储阵列布满整个存储芯片。

 

IPC信息
IPC主分类号
G11C11/56

 

法律状态信息
法律状态公告日
20080806
法律状态
公开 法律状态信息
CN200810033924 20080806 公开 公开
法律状态公告日
20081001
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200810033924 20081001 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20120704
法律状态
授权 法律状态信息
CN200810033924 20120704 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人姓名
潘振甦


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