专利名称 ---【 三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN200810050657.3
申请日
2008.04.28
公开(公告)号
CN101267019
公开(公告)日
2008.09.17
申请(专利权)人
中国科学院长春应用化学研究所
申请人地址
130022吉林省长春市人民大街5625号
发明人
闫东航;李春红;王贺;王植源; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管,包括衬底(1), 金属电极(2),有机半导体(6)层,源/漏电极(7);还包括:低介电常数 聚合物层(3),高介电常数氧化物层(4),低介电常数聚合物层(5),所 述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。该低介电常数聚合物层 具有光照交联性质,便于器件的集成加工。该结构的三层复合膜绝缘 栅避免高介电常数的氧化物绝缘膜与金属电极(2)直接接触,阻断了金 属电极(2)向高介电常数氧化物层的电子注入,降低了在负电压区有机 薄膜晶体管的回滞;同时降低了高介电常数氧化物层的分压,降低了 在正电压区晶体管的回滞。从而降低了有机薄膜晶体管的回滞效应, 显著改善了有机薄膜晶体管的工作稳定性。
主权项
1. 三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管,其包括:衬底(1),金 属电极(2),有机半导体(6)层,源/漏电极(7);其特征在于还包括: 低介电常数聚合物层(3),高介电常数氧化物层(4),低介电常数聚合 物层(5),所述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L51/05(2006.01)I
IPC分类号
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2011.01.05
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回 法律状态信息
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 51/05 公开日:20080917
法律状态公告日
2008.11.05
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2008.09.17
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
长春科宇专利代理有限责任公司
代理人姓名
马守忠
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