专利名称 ---【 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法 】

基本信息
申请号
CN200810207453.6
申请日
2008.12.19
公开(公告)号
CN101436614
公开(公告)日
2009.05.20
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管,其包括:轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂 的半导体层紧密接触的金属层,其中所述金属层含锑。此外,本发明还提供多种自对准制造 基于含锑的肖特基二极管阵列的方法,首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导 电类型的重掺杂层,然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区,接着 采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区,使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触 进而制造出肖特基二极管阵列。
主权项
1. 一种基于含锑的肖特基二极管,其特征在于包括: 轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂的半导体层紧密接触的金属层,其中所述金属层含 锑。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/872(2006.01)I
IPC分类号
H01L29/872(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2011.05.11
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2009.07.15
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2009.05.20
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海光华专利事务所
代理人姓名
余明伟;冯 珺

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
相似专利

[发明专利] 电阻转换存储器及其制造方法
发明人:张挺;宋志棠;陈小刚;顾怡峰;刘波;封松林;陈邦明 申请日:2008-12-25

     分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器