专利名称 ---【 一种应用于K波段的MEMS电磁带隙可调带阻滤波器 】

基本信息
申请号
CN200810222614.9
申请日
20080918
公开(公告)号
CN101359760B
公开(公告)日
20090204
申请(专利权)人
中国科学院光电技术研究所
申请人地址
610209 四川省成都市双流350信箱
发明人
姚军;张理;邱传凯; 专利类型 发明专利
摘要
一种应用于K波段的MEMS电磁带隙可调带阻滤波器,共面波导中心传输线位于共面波导地平面的纵向中心线上,两者位于衬底上,且与共面波导中心传输线相垂直的方向上刻有刻槽;一对T型线横向端分别平行共面波导中心传输线并对称分布其两侧,纵向端分别位于共面波导中心传输线两侧的刻槽中;一对空气桥两端横跨在刻槽靠近共面波导中心传输线的边缘开口上方;一对MEMS直接接触式开关组两端横跨在沿远离共面波导中心传输线方向的刻槽的两个末端;由上述结构构成的单元谐振电路沿共面波导中心传输线方向周期性排列构成应用于K波段的MEMS电磁带隙可调带阻滤波器;本发明通过MEMS开关实现对滤波器中心频率大范围的调谐,并引入电磁带隙结构获得了阻带内良好的隔离性能。
主权项
一种应用于K波段的MEMS电磁带隙可调带阻滤波器,其特征是:共面波导中心传输线(5)与共面波导地平面(4)位于衬底(6)上,其中共面波导中心传输线(5)位于共面波导地平面(4)的纵向中心线上,在共面波导地平面(4)上与共面波导中心传输线(5)相垂直的方向上刻有刻槽(1);一对T型线(8)的横向端分别平行于共面波导中心传输线(5)并对称的位于其两侧;一对T型线(8)的纵向端分别位于共面波导中心传输线(5)两侧的刻槽(1)中,并沿远离共面波导中心传输线(5)的方向延伸至与共面波导地平面(4)相连接;一对空气桥(2)两端横跨在刻槽(1)靠近共面波导中心传输线(5)的边缘开口上方,并与共面波导地平面(4)相连;一对MEMS直接接触式开关组(3)两端分别横跨在沿远离共面波导中心传输线(5)方向的刻槽(1)的两个末端,并与共面波导地平面(4)相连;由所述的对称于共面波导中心传输线(5)两侧的T型线(8)、空气桥(2)、MEMS直接接触式开关组(3)构成的单元谐振电路沿共面波导中心传输线(5)方向呈周期性排列。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01P1/212

 

法律状态信息
法律状态公告日
20161109
法律状态
授权 法律状态信息
CN200810222614 20090204 公开 公开
法律状态公告日
20090401
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200810222614 20120418 授权 授权
法律状态公告日
20120418
法律状态
公开 法律状态信息
CN200810222614 20161109 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01P 1/212申请日:20080918授权公告日:20120418终止日期:20150918
法律状态公告日
20090204
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200810222614 20090401 实质审查的生效 实质审查的生效

 

代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
贾玉忠;卢纪

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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