专利名称 ---【 校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法 】

基本信息
申请号
CN200810229661.6
申请日
20081212
公开(公告)号
CN101750404B
公开(公告)日
20100623
申请(专利权)人
中国科学院沈阳自动化研究所
申请人地址
110016 辽宁省沈阳市东陵区南塔街114号
发明人
于海斌;孙兰香;杨志家;郭前进;辛勇;丛智博; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法,基于内参考线,通过计算谱线自吸收校正系数得校正后的等离子体发射谱线强度,具体:1)在被分析元素的等离子体发射谱线中选择自吸收校正系数值为1中的一条等离子体发射谱线作为内参考线;2)计算所有被分析元素的等离子体温度T;3)通过自吸收校正系数计算公式计算分析线的谱线自吸收校正系数;4)根据分析线的自吸收校正系数校正分析线的谱线强度;5)重复上述步骤,循环校正谱线强度,当分析线的自吸收校正系数达到设定精度时,获得最终校正后的等离子体发射谱线强度,至此完成自吸收效应的校正过程。通过本方法更准确地计算等离子体温度及更准确地进行物质成分的量化分析。
主权项
一种校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法,其特征在于:基于内参考线,通过计算谱线自吸收校正系数得校正后的等离子体发射谱线强度,具体步骤如下:步骤1)在被分析元素的等离子体发射谱线中选择自吸收效应可以被忽略的一条谱线作为内参考线,其自吸收校正系数值为1;步骤2)计算所有被分析元素的等离子体温度T;步骤3)通过自吸收校正系数的计算公式计算分析线的谱线的自吸收校正系数;所述分析线的谱线自吸收校正系数计算公式为:其中:定义为波长λ处的自吸收校正系数,值在0和1之间,0代表谱线完全被自吸收,1代表谱线不存在自吸收;R代表内参考线,m和n代表内参考线的跃迁能级层;i和j代表分析线的跃迁能级层;和分别代表分析线与内参考线的谱线强度;Aij和Amn分别代表分析线与内参考线的自然跃迁概率;gi和gm分别代表分析线与内参考线的统计权重;Ei和Em分别代表分析线与内参考线的上层激发能级;kB是玻尔兹曼常数,T是等离子体温度;步骤4)根据分析线的谱线自吸收校正系数来校正分析线的谱线强度,采用如下强度校正公式:其中:为校正后的分析线的谱线强度;步骤5)重复步骤2)、3)、4),循环校正谱线强度,当分析线的自吸收校正系数达到设定精度时,获得最终校正后的等离子体发射谱线强度,至此完成等离子体发射谱线自吸收效应的校正过程。

 

IPC信息
IPC主分类号
G01N21/73

 

法律状态信息
法律状态公告日
20100623
法律状态
公开 法律状态信息
CN200810229661 20100623 公开 公开
法律状态公告日
20100818
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200810229661 20100818 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/73申请日:20081212
法律状态公告日
20120523
法律状态
授权 法律状态信息
CN200810229661 20120523 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
代理人姓名
许宗富


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