专利名称 ---【 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 】

基本信息
申请号
CN200810238814.3
申请日
2008.12.02
公开(公告)号
CN101425505
公开(公告)日
2009.05.06
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
发明人
范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构, 所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列,所述独立十字单 元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成,每个独立十字单元由等臂十 字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是 否产生凹形坑。此方法结构简单,占用版图面积小,便于嵌入版图中,实 验测量方便。采用这种电学方法来测量,不受线条尺寸的影响,可以方便 地对整个芯片进行测量,很好地验证芯片CMP的均匀性。
主权项
1、一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构,其特征在 于:所述电路版图包括一组独立的铜引线十字单元阵列,所述独立十字单 元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成,每个独立十字单元由等臂十 字结构的铜引线构成。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L23/544(2006.01)I
IPC分类号
H01L23/544(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.07.29
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/544 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:北京燕东微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 变更后权利人:100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 登记生效日:20150710
法律状态公告日
2011.10.26
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2009.07.01
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2009.05.06
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京市德权律师事务所
代理人姓名
王建国

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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