专利名称 ---【 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 】
| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN200880124039.7 | 申请日 |
20081229 |
公开（公告）号
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CN101960610B | 公开（公告）日
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20110126 |
申请（专利权）人
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中国科学院上海硅酸盐研究所
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申请人地址
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200050 上海市定西路1295号 | ||
发明人
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黄富强;王耀明; | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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提供一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。它采用非真空液相化学方法，包括以下步骤：形成含铜、铟、镓、硫和硒的源溶液；通过非真空液相工艺将该溶液在衬底上制成前驱薄膜；以及将前驱薄膜干燥并退火，从而形成铜铟镓硫硒化合物薄膜。
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主权项
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一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法，其特征在于采用非真空液相化学方法制备的工艺步骤为：①、将铜、铟、镓的硫族化合物或卤族化合物，和硫、硒的单质或胺类盐或肼类盐溶解于含有强配位基团的溶剂中，并加入一定的溶液调节剂，形成稳定的铜、铟、镓、硫、硒的源溶液；②、将①所得到的各种源溶液按铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层Cu1‑xIn1‑yGaySe2‑zSz式中铜、铟、镓的化学计量比，和过量的硫、硒，配置成含铜、铟、镓、硫、硒的混合溶液；所述的硫或硒过量程度为0‑800％；式中0≤x≤0.3，0≤y≤1，0≤z≤2；③、将步骤②制备的混合溶液通过各种非真空液相工艺，在各种衬底上制备出前驱薄膜；④、将步骤③制备的前驱薄膜，经干燥，并退火后，形成目标铜铟镓硫硒化合物薄膜。
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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H01L31/032 | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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20110126 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | CN200880124039 20110126 公开 公开 |
法律状态公告日
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20110323 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | CN200880124039 20110323 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/032申请日:20081229 |
法律状态公告日
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20120411 | 法律状态
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授权 | 法律状态信息 | CN200880124039 20120411 授权 授权 |
法律状态公告日
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20161019 | 法律状态
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专利申请权、专利权的转移 | 法律状态信息 | CN200880124039 20161019 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):H01L 31/032登记生效日:20160927变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:上海富际新能源科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市定西路1295号变更后权利人:200335 上海市长宁区广顺路33号8幢2层2172室 |
法律状态公告日
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20200228 | 法律状态
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专利申请权、专利权的转移 | 法律状态信息 | CN200880124039 20200228 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):H01L31/032登记生效日:20200210变更前 专利权人:上海富际新能源科技有限公司 地址:200335 上海市长宁区广顺路33号8幢2层2172室变更后 专利权人:中国科学院上海硅酸盐研究所 地址:200050 上海市长宁区定西路1295号 |
代理信息 |
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代理机构名称
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上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人姓名
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彭茜茜;白益华 |
