专利名称 ---【 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 】

基本信息
申请号
CN200910089598.5
申请日
20090722
公开(公告)号
CN101964005A
公开(公告)日
20110202
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法,该方法包括:A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示;B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段,每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成;C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路;D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式;E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过VDD/2时,认为发生单粒子翻转错误。利用本发明,基于简单的解析模型,可以评估复杂电路中每一门电路的单粒子瞬态敏感度。
主权项
NULL

 

IPC信息
IPC主分类号
G06F17/50

 

法律状态信息
法律状态公告日
20110202
法律状态
公开 法律状态信息
CN200910089598 20110202 公开 公开
法律状态公告日
20110323
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200910089598 20110323 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20090722
法律状态公告日
20121003
法律状态
授权 法律状态信息
CN200910089598 20121003 授权 授权
法律状态公告日
20131218
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN200910089598 20131218 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G06F 17/50变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:北京中科微投资管理有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号15幢328室登记生效日:20131203
法律状态公告日
20140212
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN200910089598 20140212 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G06F 17/50变更事项:专利权人变更前权利人:北京中科微投资管理有限责任公司变更后权利人:北京中科新微特科技开发股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号15幢328室变更后权利人:100029 北京市朝阳区北土城11号微电子研究所综合楼4层登记生效日:20140115

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
周国城


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