专利名称 ---【 一种ROM-less DDS电路结构 】

基本信息
申请号
CN200910091961.7
申请日
20090902
公开(公告)号
CN102006066B
公开(公告)日
20110406
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦;刘新宇; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种ROM-less DDS电路结构,包括依次连接的流水线累加器、异或逻辑单元、温度计编码器、正弦加权非线性DAC和Gilbert乘法器单元,其中,流水线累加器还连接于Gilbert乘法器单元。利用本发明,消除了传统DDS结构中的波形存储ROM,从而在相同输出波形性能的情况下,提高了DDS电路工作频率,并大大地减小了DDS电路的功耗。
主权项
一种ROM‑less DDS电路结构,其特征在于,包括依次连接的流水线累加器、异或逻辑单元、温度计编码器、正弦加权非线性DAC和Gilbert乘法器单元,其中,流水线累加器还连接于Gilbert乘法器单元;所述流水线累加器是一个N‑bit流水线累加器,N为大于2的自然数,用于将输入的N‑bit频率控制字进行累加操作,在每个时钟周期内向所述异或逻辑单元输出一个累加结果,并将经过时延的N‑bit结果输出给所述Gilbert乘法器单元;所述异或逻辑单元是一个(N‑2)‑bit宽度异或逻辑运算阵列,N为大于2的自然数,用于将所述流水线累加器输出的N‑bit结果中的低(N‑2)‑bit数据分别各自与第二高位数据2nd‑MSB进行异或逻辑操作,并向所述温度计编码器输出(N‑2)‑bit宽度结果数据;所述正弦加权非线性DAC包括[2^(N‑2)‑1]个电流源,每个电流源的开关分别由所述温度计编码器输出的[2^(N‑2)‑1]‑bit宽度的温度计编码格式数据中的对应位所控制,并且电流源的电流值是正弦加权的。

 

IPC信息
IPC主分类号
G06F1/02

 

法律状态信息
法律状态公告日
20110406
法律状态
公开 法律状态信息
CN200910091961 20110406 公开 公开
法律状态公告日
20110525
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200910091961 20110525 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H03L 7/24申请日:20090902
法律状态公告日
20120627
法律状态
授权 法律状态信息
CN200910091961 20120627 授权 授权
法律状态公告日
20180921
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN200910091961 20180921 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G06F 1/02登记生效日:20180903变更前 专利权人:中国科学院微电子研究所 地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后 专利权人:北京中科微投资管理有限责任公司 地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态公告日
20181123
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN200910091961 20181123 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G06F 1/02登记生效日:20181106变更前 专利权人:北京中科微投资管理有限责任公司 地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后 专利权人:中科芯(苏州)微电子科技有限公司 地址:215000 江苏省苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢505室
法律状态公告日
20190903
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN200910091961 20190903 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G06F 1/02登记生效日:20190815变更前 专利权人:中科芯(苏州)微电子科技有限公司 地址:215000 江苏省苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢505室变更后 专利权人:苏州迅芯微电子有限公司 地址:215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号A7楼505单元

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
周国城


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