专利名称 ---【 1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法 】

基本信息
申请号
CN200910119057.2
申请日
2005.08.31
公开(公告)号
CN101505034
公开(公告)日
2009.08.12
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域,提供了一种1.02-1.08微米波段 InGaAs/GaAs量子点外延结构,以及实现这一外延结构的分子束大功率半 导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条 件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等, 可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光,并且具有很高的发光效率。 将其应用于光纤激光器的泵浦源,极大的缩小器件的体积和制作成本,并 且保持了作为量子点激光器的优良性能指标,如:降低其激光器的阈值电 流,减小功耗,增强温度稳定性等。
主权项
1. 一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点激光器材料外延层 结构,其特征在于,由以下结构组成: 第一层为GaAs过渡层; 第二层为Al0.5Ga0.5As波导层; 第三层为AlGaAs过渡层,Al的组分从50%-10%线性减小; 第四层为GaAs过渡层; 第五层为InGaAs量子点材料层; 第六层为GaAs过渡层; 第七层为AlGaAs过渡层,Al的组分从10%-50%线性增加; 第八层为Al0.5Ga0.5As波导层; 第九层为GaAs覆盖层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/30(2006.01)I
IPC分类号
H01S5/30(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2014.10.22
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/30 申请日:20050831 授权公告日:20101208 终止日期:20130831
法律状态公告日
2010.12.08
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2009.10.07
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2009.08.12
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司
代理人姓名
汤保平

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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