专利名称 ---【 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 】

基本信息
申请号
CN200910307689.1
申请日
2009.09.25
公开(公告)号
CN101656208
公开(公告)日
2010.02.24
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
发明人
李永亮;徐秋霞
专利类型
发明专利
摘要
本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法,属于集成电路制造技术领域。所 述方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成高K栅介质层;在所述高K栅介质层上形成TaN金 属栅电极层,并在其上形成非晶硅硬掩膜;采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图 形;采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀;采用 湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜,采用湿法腐蚀TaN金属栅电极 层时,可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除;另外,采用湿法腐蚀液去除剩余的非 晶硅硬掩膜时,对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高,不存在兼容性问题。
主权项
1.一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤10:在所述半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(103); 步骤20:在所述高K栅介质层(103)上形成TaN金属栅电极层(104),并在所述TaN金属栅 电极层(104)上形成非晶硅硬掩膜(105); 步骤30:采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜(105)形成硬掩膜的图形; 步骤40:采用含有NH4OH和H2O2的混合溶液对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅 电极层(104)进行选择性腐蚀; 步骤50:采用含有NH4OH的水溶液去除所述硬掩膜的图形。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/28(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2011.11.16
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2010.04.28
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20090925
法律状态公告日
2010.02.24
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京市德权律师事务所
代理人姓名
王建国
相似文献

不同去甲肾上腺素剂量下布氏田鼠非颤抖性产热比较
作者:王建梅[1,2,3] 王德华[2] 发表刊物:《兽类学报》

相似专利

[发明专利] 一种泡沫状微生物改性吸附剂的制备方法及其应用
发明人:于洪文;王娜娜 申请日:2017-10-23

[发明专利] 一种碱性阴离子交换树脂的制备方法
发明人:俞红梅;高学强;贾佳;覃博文;衣宝廉;邵志刚 申请日:2016-11-22

[发明专利] 基于统计相似性和双向显著性保真度的图像重定向质量评价方法
发明人:陈志波;林剑新 申请日:2016-09-12

[发明专利] 一种活性晶面缺陷型氯化钯催化剂及其制备方法和应用
发明人:姚元根;乔路阳;周张锋;宗珊珊;崔国静;吴小满;吴娟 申请日:2016-07-05

[发明专利] 一种检测柽柳科植物rbcL基因适应性进化与结构建模的方法
发明人:燕霞;马小飞;钱朝菊 申请日:2016-06-23

相似科技成果

新型手性配体的设计和合成及不对称催化反应研究
主题词:[手性配体和催化剂;不对称催化反应;手性药物] 单位名称:中国科学院成都有机化学研究所

紫杉醇的工业色谱制备技术
主题词:[工业色谱制备;收率;大规模生产] 单位名称:中国科学院大连化学物理研究所

手性的生物催化合成研究
主题词:[手性分子;生物催化] 单位名称:中国科学院化学研究所

新型压电薄膜器件的研究与开发
主题词:[PVDF压电薄膜;脉搏传感器;血压传感器] 单位名称:中国科学院长春应用化学研究所

手性螺环氧膦配体化合物及其合成与应用
主题词:[不对称氢化反应 手性螺环氧膦配体化合物 过渡金属络合物] 单位名称:中国科学院成都有机化学有限公司

点击次数: 9      分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器