专利名称 ---【 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 】

基本信息
申请号
CN201010017135.0
申请日
20100108
公开(公告)号
CN101748382B
公开(公告)日
20100623
申请(专利权)人
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址
215125 江苏省苏州市工业园区若水路398号
发明人
曾雄辉;徐科;王建峰;任国强;黄凯;包峰;张锦平; 专利类型 发明专利
摘要
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差;所述原料配方摩尔比例为:Ga∶Re∶A=(1-x-y)∶x∶y,其中Re表示稀土金属,A表示III族元素硼或铝,0.1%≤x≤10.0%,0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺,从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变,从而提高GaN晶体膜的发光性能。
主权项
1.分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差;所述原料配方摩尔比例为:Ga∶Re∶A=(1-x-y)∶x∶y,其中Re表示稀土金属,A表示III族元素硼或铝,0.1%≤x≤10.0%,0.1x≤y≤x。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C16/34

 

法律状态信息
法律状态公告日
20100623
法律状态
公开 法律状态信息
CN201010017135 20100623 公开 公开
法律状态公告日
20100818
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201010017135 20100818 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20100108
法律状态公告日
20120111
法律状态
授权 法律状态信息
CN201010017135 20120111 授权 授权
法律状态公告日
20181228
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN201010017135 20181228 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C23C 16/34授权公告日:20120111终止日期:20180108

 

代理信息
代理机构名称
南京苏科专利代理有限责任公司 32102
代理人姓名
陈忠辉


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