专利名称 ---【 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 】

基本信息
申请号
CN201010033967.1
申请日
20100107
公开(公告)号
CN101812671B
公开(公告)日
20100825
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;张露;殷海波;李晋闽; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置,其包括:气体入口;从所述气体入口引出的并行布置的多组气路,每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路,第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中:气体通过一组气路时,气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个;且第一子气路上设置有第一流量计,第二子气路上设置有第二流量计,所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计,在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制,从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
主权项
一种用于金属有机物化学沉积设备的气路装置,包括:气体入口;从所述入口引出的并行布置的多组气路,每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路,第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通,其特征在于:气体通过一组气路时,气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个;且第一子气路上设置有第一流量计,第二子气路上设置有第二流量计,所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C16/18

 

法律状态信息
法律状态公告日
20100825
法律状态
公开 法律状态信息
CN201010033967 20100825 公开 公开
法律状态公告日
20101013
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201010033967 20101013 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/18申请日:20100107
法律状态公告日
20120606
法律状态
授权 法律状态信息
CN201010033967 20120606 授权 授权
法律状态公告日
20120905
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN201010033967 20120905 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C23C 16/18变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院半导体研究所变更后权利人:广东省中科宏微半导体设备有限公司变更事项:地址变更前

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王新华


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