专利名称 ---【 HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 】

基本信息
申请号
CN201010123021.4
申请日
20100311
公开(公告)号
CN101814545A
公开(公告)日
20100825
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
张宇;王国伟;汤宝;任正伟;徐应强;牛智川;陈良惠; 专利类型 发明专利
摘要
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:一GaSb衬底,利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层;一上电极,采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面,该上电极的中间开有一光的入射口;一下电极,采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。
主权项
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:一GaSb衬底,利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层;一上电极,采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面,该上电极的中间开有一光的入射口;一下电极,采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L31/11

 

法律状态信息
法律状态公告日
20100825
法律状态
公开 法律状态信息
CN201010123021 20100825 公开 公开
法律状态公告日
20101013
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201010123021 20101013 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/11申请日:20100311
法律状态公告日
20120104
法律状态
授权 法律状态信息
CN201010123021 20120104 授权 授权
法律状态公告日
20190607
法律状态
著录事项变更 法律状态信息
CN201010123021 20190607 著录事项变更 著录事项变更IPC(主分类):H01L 31/11变更前 发明人:张宇 发明人:王国伟 发明人:汤宝 发明人:任正伟 发明人:徐应强 发明人:牛智川 发明人:陈良惠变更后 发明人:张宇 发明人:牛智川 发明人:王国伟 发明人:徐应强 发明人:汤宝 发明人:任正伟 发明人:陈良惠

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
汤保平


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