专利名称 ---【 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构 】

基本信息
申请号
CN201010157655.1
申请日
20100421
公开(公告)号
CN101840126B
公开(公告)日
20100922
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
翟耀;陈少武; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构,该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4),其中,第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F-P谐振腔(7);第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F-P谐振腔(8);该第一F-P谐振腔(7)和该第二F-P谐振腔(8)构成级联F-P谐振腔;当光波波长同时等于级联F-P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F-P谐振腔。本发明利用级联F-P谐振腔中的双光子吸收效应,实现了全光逻辑与功能。
主权项
一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构,其特征在于,该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4),其中,第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F‑P谐振腔(7);第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F‑P谐振腔(8);该第一F‑P谐振腔(7)和该第二F‑P谐振腔(8)构成级联F‑P谐振腔;当光波波长同时等于级联F‑P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F‑P谐振腔。

 

IPC信息
IPC主分类号
G02F3/00

 

法律状态信息
法律状态公告日
20140611
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN201010157655 20140611 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G02F 3/00申请日:20100421授权公告日:20120523终止日期:20130421
法律状态公告日
20120523
法律状态
授权 法律状态信息
CN201010157655 20120523 授权 授权
法律状态公告日
20101110
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201010157655 20101110 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 3/00申请日:20100421
法律状态公告日
20100922
法律状态
公开 法律状态信息
CN201010157655 20100922 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
周国城

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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