专利名称 ---【 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法 】
| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN201010284183.6 | 申请日 |
2010.09.15 |
公开（公告）号
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CN102403198A | 公开（公告）日
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2012.04.04 |
申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
发明人
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李永亮;徐秋霞; | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本发明涉及一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，属于集成电路制造技术领域。在金属栅层/高K栅介质层叠层结构刻蚀后，采用含有氢氟酸的混合溶液进行清洗，不仅可以完全去除栅叠层结构上留下的含有金属的聚合物残余，而且对于高K材料在干法刻蚀过程中部分去除的刻蚀策略，可以在清洗的过程中完全去除高K材料，从而更有利于满足纳米级CMOS器件在形成栅极图形时对Si衬底损失的要求。另外，因该溶液对场区SiO2的腐蚀速率较低，能够满足器件集成的需要。 |
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主权项
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一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和掩膜层；对所述掩膜层、多晶硅层、金栅属层和高K栅介质层进行刻蚀以形成栅极图案；采用包括氢氟酸的混合溶液对所述半导体衬底和栅极图案进行清洗。 |
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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H01L21/02(2006.01)I | ||
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IPC分类号
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H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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2015.06.24 | 法律状态
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发明专利申请公布后的驳回 | 法律状态信息 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20120404 |
法律状态公告日
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2012.06.13 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | 实质审查的生效
IPC(主分类):H01L 21/02
申请日:20100915 |
法律状态公告日
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2012.04.04 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | 公开 |
代理信息 |
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人姓名
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倪斌 |
基于20nm FinFETs器件穿通电流的抑制及穿通阻止层技术优化设计
作者:刘云飞,尹海洲,赵超,张珂珂,李睿,朱慧珑 
