专利名称 ---【 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法 】

基本信息
申请号
CN201010284183.6
申请日
2010.09.15
公开(公告)号
CN102403198A
公开(公告)日
2012.04.04
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
李永亮;徐秋霞; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法,属于集成电路制造技术领域。在金属栅层/高K栅介质层叠层结构刻蚀后,采用含有氢氟酸的混合溶液进行清洗,不仅可以完全去除栅叠层结构上留下的含有金属的聚合物残余,而且对于高K材料在干法刻蚀过程中部分去除的刻蚀策略,可以在清洗的过程中完全去除高K材料,从而更有利于满足纳米级CMOS器件在形成栅极图形时对Si衬底损失的要求。另外,因该溶液对场区SiO2的腐蚀速率较低,能够满足器件集成的需要。
主权项
一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和掩膜层;对所述掩膜层、多晶硅层、金栅属层和高K栅介质层进行刻蚀以形成栅极图案;采用包括氢氟酸的混合溶液对所述半导体衬底和栅极图案进行清洗。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/02(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.06.24
法律状态
发明专利申请公布后的驳回 法律状态信息
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20120404
法律状态公告日
2012.06.13
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20100915
法律状态公告日
2012.04.04
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
倪斌
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