专利名称 ---【 一种用于超高真空的磁控溅射靶 】

基本信息
申请号
CN201010297750.1
申请日
20090515
公开(公告)号
CN101935823B
公开(公告)日
20110105
申请(专利权)人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人
金贻荣;董世迎;张殿琳; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种用于超高真空的磁控溅射靶,其中磁控溅射靶的靶阴极和靶阳极之间采用一道O型圈密封,大大减少了密封O型圈的数量,可以满足超高真空要求。本发明的靶中磁体的制备工艺,通过建立数学模型,对磁体的尺寸与形状进行有限元优化,使得靶面附近磁场平行分量分布更均匀且宽广,提高了溅射时靶材面的使用范围,有效的提高了靶材的利用率。
主权项
一种磁控溅射靶,其特征在于,包括靶阴极和靶阳极,所述靶阳极包括靶顶法兰和接地外鞘,靶顶法兰与接地外鞘相连,靶阳极的上部密封;靶阴极包括靶体,所述靶体上设置有靶电极柱,靶体内设置有水冷装置和磁体,靶体上表面设置有通孔,该通孔以下部分的靶体内设置有容置水冷装置和磁体的凹槽,所述通孔与凹槽连通,该通孔上设置封盖将所述靶体内密封,封盖上设置有将所述磁体固定在所述凹槽中的调整螺钉;所述磁体由中心磁体和外围磁体构成,中心磁体设置在所述靶体中部,外围磁体设置在中心磁体两侧,外围磁体和中心磁体之间设置有所述水冷装置,该水冷装置与所述封盖之间设置有O形密封圈,外围磁体为与所述靶材面直径相当的环形磁体,其中磁极内边倒锥角,中心磁体为圆柱形磁体,磁极顶部倒锥角;所述靶顶法兰为桶状结构,其上部设置有金属刀口密封法兰,金属刀口密封法兰上设置靶顶盖,并且金属刀口密封法兰与靶顶盖之间密封,靶顶盖上设置有所述水冷装置的水管接头和所述靶电极柱的电极接头,靶顶盖上还设置有与抽真空装置相连的抽嘴;靶体通过靶阳极上设置的绝缘连接件与靶阳极不接触的设置在接地外鞘中,所述绝缘连接件包括螺钉和绝缘陶瓷保护套,螺钉上部容置在所述靶顶法兰上设置的与螺钉上端相配的卡槽中,螺钉与卡槽接触的外表面上设置有绝缘陶瓷保护套,螺钉下部的螺纹端与所述靶体螺纹连接,并且靶体上表面与靶阳极之间通过一道O型圈密封,所述靶体下表面上紧密固定靶材,靶材下部的接地外鞘上设置有与靶材大小相配的通孔。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C14/35

 

法律状态信息
法律状态公告日
20110105
法律状态
公开 法律状态信息
CN201010297750 20110105 公开 公开
法律状态公告日
20110302
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201010297750 20110302 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20090515
法律状态公告日
20120118
法律状态
授权 法律状态信息
CN201010297750 20120118 授权 授权
法律状态公告日
20130710
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN201010297750 20130710 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20090515授权公告日:20120118终止日期:20120515

 

代理信息
代理机构名称
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003
代理人姓名
尹振启


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