| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN201090000797.0 | 申请日 |
20100628 |
公开（公告）号
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CN202585424U | 公开（公告）日
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20121205 |
申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所
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申请人地址
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100029中国北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
发明人
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尹海洲;骆志炯;朱慧珑; | 专利类型 | 实用新型 |
摘要
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一种晶体管包括具有沟道区的基底(100)；位于该基底(100)沟道区两端的源区(101)和漏区(102)；界于所述源区(101)和漏区(102)之间的该沟道区上方基底(100)顶层的栅极高k介质层(103)；位于该栅极高k介质层(103)下面的界面层，该界面层第一部分(107)靠近源区(101)，第二部分(106)靠近漏区(102)，且第一部分(107)的等效氧化层厚度大于第二部分(106)。由两种材料非对称栅极形成的非对称界面层有利于控制漏极一侧的短沟道效应，并避免源极一侧的载流子迁移率降低。此外，非对称栅极可以具有不同的功函数。
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主权项
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一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：基底，所述基底具有沟道区；源区和漏区，其位于该基底沟道区的两端；栅极高K介质层，其界于所述源区和漏区之间，并位于该沟道区上方处的基底顶层；界面层，其位于该栅极高K介质层的下方，其中，该界面层包括两部分，第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且所述第一部分的等效氧化层厚度大于所述第二部分的等效氧化层厚度所述界面层第一部分的等效氧化层厚度大于0.5nm，而所述界面层第二部分的等效氧化层厚度小于0.5nm，所述第一氧吸收层为Ti、Hf、Ta、W和/或其氮化物。
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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H01L29/78 | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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20121205 | 法律状态
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授权 | 法律状态信息 | CN201090000797 20121205 授权 授权 |
法律状态公告日
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20200623 | 法律状态
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未缴年费专利权终止 | 法律状态信息 | CN201090000797 20200623 未缴年费专利权终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20121205 终止日期:20190628 |
代理信息 |
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人姓名
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王波波 |
