专利名称 ---【 可加磁场的透射电子显微镜样品杆 】

基本信息
申请号
CN201210269758.6
申请日
2012.07.31
公开(公告)号
CN102820196A
公开(公告)日
2012.12.12
申请(专利权)人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街八号
发明人
杨新安;姚湲;段晓峰;田焕芳; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种可加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括头部框架,所述头部框架沿样品杆长度延伸方向具有第一端部和第二端部;载台,用于承载样品,所述载台设有供入射电子束通过的通道,所述载台设置在头部框架内靠近头部框架第一端部;第一磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,在通电流时产生第一磁场,所述第一磁场对样品产生磁化作用;以及第二磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,位于所述第一磁线圈的下方,通电流时产生第二磁场,所述第二磁场能够使在第一磁场作用下发生偏转的电子束向入射方向回偏。本发明可用来研究在外加磁场的作用下磁性材料的磁畴变化。
主权项
一种可加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括头部框架,所述头部框架沿样品杆长度延伸方向具有第一端部和第二端部;载台,用于承载样品,所述载台设有供入射电子束通过的通道,所述载台设置在头部框架内靠近头部框架第一端部;第一磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,在通电流时产生第一磁场,所述第一磁场对样品产生磁化作用;以及第二磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,位于所述第一磁线圈的下方,在通电流时产生第二磁场,所述第二磁场能够使在所述第一磁场作用下发生偏转的电子束向入射方向回偏。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01J37/20(2006.01)I
IPC分类号
H01J37/20(2006.01)I;H01J37/26(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.02.04
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2013.01.30
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/20 申请日:20120731
法律状态公告日
2012.12.12
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391
代理人姓名
康正德;范晓斌

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间
SEA 20140801 CN102262996A null 20111130
SEA 20140801 EP0457317A1 HITACHI LTD [JP] 19911121
SEA 20140801 JPH08264146A HITACHI LTD 19961011

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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