专利名称 ---【 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层用陶瓷靶材制备方法 】

基本信息
申请号
CN201210534046.2
申请日
20121211
公开(公告)号
CN103014623A
公开(公告)日
20130403
申请(专利权)人
中国科学院电工研究所
申请人地址
100190北京市海淀区中关村北二条6号
发明人
屈飞;古宏伟;丁发柱;戴少涛; 专利类型 发明专利
摘要
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池光吸收层用溅射靶材的制备方法。首先计算各二元陶瓷块在靶材溅射区域所占的面积比例,将面积比例换算为相应的环状扇形的角度,并将对应的角度8等份,作为最小单元;随后量出该溅射阴极的溅射区域尺寸;然后将Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷板加工成设计的尺寸,调整各陶瓷环状扇形角度可调整靶材的成分。Ga2Se3、In2Se3和CuSe环状扇形最小单元角度范围为5°~8°、16°~20°和20°~22°;陶瓷块放入磁控溅射设备,在室温下在陶瓷块表面沉积1μm的Ni;随后把各陶瓷块交叉装入铜背板镶嵌区;将拼接好的靶材放入真空炉中,并在其上施加30~35g/cm2的压力,真空抽至10Pa以下,以10℃/min升温至135℃,保温10S,随后快速降温至室温,取出靶材。
主权项
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池光吸收层用溅射靶材的制备方法,其特征在于,所属的制备方法采用Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷块交叉拼接并焊接在铜背板上,步骤如下:(1)根据所要获得的光吸收层的成分,计算各二元陶瓷块在靶材溅射区域所占的面积比例,将面积比例换算为相应的环状扇形的角度,并将对应的角度8等份,作为最小单元;随后量出该溅射阴极的溅射区域尺寸,设计陶瓷块尺寸时,环状扇形的宽度应比溅射区域尺寸大20%;(2)将Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷板加工成设计的尺寸,通过调整各陶瓷环状扇形角度以调整靶材的成分,所述的Ga2Se3、In2Se3和CuSe环状扇形最小单元角度范围分别为5°~8°、16°~20°和20°~22°;(3)将加工好的陶瓷块放入磁控溅射设备,在靶材上于室温下沉积1μm厚的Ni;(4)在铜背板上加工出镶嵌陶瓷块的环形区域,即镶嵌区,将In50Sn50低温焊料均匀涂敷在铜背板上,随后把镀有Ni的各陶瓷块交叉装入铜背板镶嵌区,相同材料的陶瓷块不能相邻;(5)将拼接好的靶材放入真空炉中,并在靶材上施加30~35g/cm2的压力,真空抽至10Pa以下,以10℃/min升温至135℃,保温10S,随后快速降温至室温,取出靶材。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C14/06

 

法律状态信息
法律状态公告日
20130501
法律状态
公开 法律状态信息
CN201210534046 20130501 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/06申请日:20121211
法律状态公告日
20130403
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回 法律状态信息
CN201210534046 20150401 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C23C 14/06申请公布日:20130403
法律状态公告日
20150401
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201210534046 20130403 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
关玲

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间
SEA 20140327 CN101768718A METAL IND RES DEVELOPMENT CT 20100707
SEA 20140327 CN102051584A SHENGCHANG ZHANG 20110511
SEA 20140327 CN102409300A UNIV CHINA THREE GORGES CTGU, et al 20120411
SEA 20140327 WO2012042959A1 JX NIPPON MINING & METALS CORP [JP], et al 20120405

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
SEA 20140327 s 黄士勇等:基片和溅射参数对CuInSe2量子点的影响,《固体电子学研究与进展》, vol. 24, no. 2, 31 May 2004 (2004-05-31)


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器