专利名称 ---【 一种数字移相器 】

基本信息
申请号
CN201710504187.2
申请日
2017.06.27
公开(公告)号
CN107332538A
公开(公告)日
2017.11.07
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
罗卫军;孙朋朋;刘辉;张宗敏;耿苗;张蓉; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种数字移相器,包括数字移相电路和GaN基;其中,数字移相电路位于GaN基上,数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路,该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)作为开关器件。本发明的数字移相器提高了相控阵雷达、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备中收发组件的性能,并且提高相移精度。
主权项
一种数字移相器,包括:GaN基底;以及数字移相电路,形成于该GaN基底上;其中,所述数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路,该全通型结构的数字移相电路采用AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管作为开关器件。

 

IPC信息
IPC主分类号
H03H11/16(2006.01)I
IPC分类号
H03H11/16(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.12.01
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 11/16 申请日:20170627
法律状态公告日
2017.11.07
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩
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