专利名称 ---【 磁控溅射镀膜设备和磁控溅射镀膜方法 】

基本信息
申请号
CN201710949826.6
申请日
2017.10.12
公开(公告)号
CN107794496A
公开(公告)日
2018.03.13
申请(专利权)人
中国科学院近代物理研究所
申请人地址
730000 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
发明人
杨伟顺;蒙峻;蔺晓建;马向利;张晓鹰; 专利类型 发明专利
摘要
本发明的实施例公开了一种磁控溅射镀膜设备和一种磁控溅射镀膜方法。磁控溅射镀膜设备包括:用于产生磁场的螺线管;以及靶,所述靶的至少一部分在使用中位于螺线管中,并且用于将所述靶的材料溅射到物体的表面上。磁控溅射镀膜方法包括:提供用于产生磁场的螺线管;将内表面需要溅射镀膜的管插入螺线管中;将靶插入管中;封闭管的两端,以形成封闭的内腔;以及为靶供电,以将所述靶的材料溅射到管的内表面上。采用根据本发明的实施例的磁控溅射镀膜设备和磁控溅射镀膜方法例如可以提高管的内表面的镀膜效率。
主权项
一种磁控溅射镀膜设备,包括:用于产生磁场的螺线管;以及靶,所述靶的至少一部分在使用中位于螺线管中,并且用于将所述靶的材料溅射到物体的表面上。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C14/04(2006.01)I
IPC分类号
C23C14/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.04.06
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/04 申请日:20171012
法律状态公告日
2018.03.13
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
张成新
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