专利名称 ---【 一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法 】

基本信息
申请号
CN201811509683.8
申请日
2018.12.11
公开(公告)号
CN109521657A
公开(公告)日
2019.03.26
申请(专利权)人
中国科学院光电技术研究所
申请人地址
发明人
罗先刚; 马晓亮; 蒲明博; 刘利芹; 王长涛; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法。样品特征结构包括激发层、光刻胶层、增强层。干法显影过程:样品首先在表面等离子体光刻机上曝光,获得超分辨率光刻图形记录在光刻胶层;基于感光与非感光区域光刻胶成分不同,可在胶表面进行有选择性的硅烷化掺杂处理;利用反应离子刻蚀技术,将硅烷化区域进行硬化处理,同时非硅烷化区域会被刻蚀去除,进一步以硬化层作为掩模,对非硅烷化区域进行彻底的刻蚀,实现干法显影,获得有一定厚度硬层的光刻胶图形。该方法优势:一是干法显影可避免湿法显影中容易出现的线条漂移、倒塌、断裂等问题;二是获得的有硬层的光刻胶图形,可提高表面等离子体光刻中薄胶的进一步刻蚀传递性能。
主权项

 

IPC信息
IPC主分类号
G03F7/36
IPC分类号
G03F7/36; G03F7/38

 

法律状态信息
法律状态公告日
2019.04.19
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/36
法律状态公告日
2019.03.26
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
代理人姓名

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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